Micron Technology amplia la propria offerta di memorie per le categorie di prodotto
tablet e Thin and Light, con nuovi moduli RAM a basso consumo. I nuovi prodotti di tipo DDR3Lm si caratterizzato per un
Low-Standby-Power e capacità di 2 e 4 Gb.
In questo caso, Micron ha adottato una
soluzione a basso auto-refresh, pur mantenendo prestazioni e prezzi di buon livello. Per raggiungere una
corrente di standby (IDD6) di 3,7 mA e consentire velocità fino a 1.866 MT/s, Micron ha scelto di adottare un processo costruttivo a 30 nm, per entrambe le tipologie di chip.
La variante
DDR3Lm 2Gb è in grado di fornire fino al 50% di risparmio energetico rispetto ai tradizionali moduli DDR3L di pari capacità. I moduli Micron 4Gb DDR3Lm offrono la medesima efficienza delle versioni a capacità più bassa e
risultano ideali per client ultra-sottili e tablet, grazie al ridotto numero di chip utilizzati.