Micron si appresta a innovare il segmento delle memorie flash e dei sistemi di storage. Il produttore ha infatti recentemente annunciato una
memoria di tipo NAND di tipo TLC (triple-level-cell), con capacità di 128 gbit e realizzata con un processo costruttivo a 20 nm.
Questa particolare soluzione, capace di archiviare
tre bit per cella, risulta il 25% più piccola, rispetto ad analoghe soluzioni MLC e vanta dimensioni di appena 146 mm².
A detta del produttore, la diffusione prevista per quest’anno sarà molto rapida e dovrebbe costituire circa il 35% della capacità su base NAND per il 2013. Dopo i test preliminari, attualmente in corso,
Micron avvierà la produzione nel secondo trimestre dell’anno.
Le possibilità d’impiego spaziano dai sistemi portatili di tipo flash, ai dispositivi di storage SSD, anche se al momento non sono stati rilasciati commenti in merito.