Intel si prepara ai 10 nanometri

Intel prosegue lo sviluppo di nuove tecnologie e si concentra sui processi produttivi di domani. In Israele, la Fab 28 di Qiryat Gat potrebbe diventare il sito per la realizzazione di futuri chip a 10 nm.

Autore: Daniele Preda

La Fab 28 di Qiryat Gat, in Israele potrebbe essere la struttura designata da Intel per la realizzazione dei futuri chip a 10 nm. Si tratta di un sito produttivo di grande rilevanza, attualmente attivo per la produzione di chip Ivy Bridge a 22 nm, con transistor tri-gate. Secondo alcune indiscrezioni, la fabbrica, che impiega oltre 8.500 persone, potrebbe essere presto aggiornata per gestire il passaggio a 10 nm.
La Fab, che nell’ultimo anno ha raddoppiato le esportazioni, vedrà nei prossimi mesi un graduale adattamento per la costruzione delle CPU Haswell, realizzate con il medesimo processo produttivo dei microprocessori Core di terza generazione.
Intel Israele costituisce una delle realtà produttive più promettenti e, proprio per questo, il chip maker ha largamente investito negli ultimi anni. Oltre ad aver sostenuto molte aziende IT locali, Intel ha investito oltre 10 miliardi di Dollari nell’ultimo decennio e rappresenta oggi il 20% delle esportazioni nel campo dell’alta tecnologia per Israele.
L’azienda si prepara dunque a supportare al meglio il passaggio ai 14 nm ma, consapevole che ogni tecnologia ha una vita media compresa tra due e sei anni, si sta preparando per il passaggio verso i 10 nm. In questo senso, è probabile che questo tipo di piattaforma sarà la prima a utilizzare metodi non convenzionali, come la litografia EUV (Extreme Ultraviolet) e wafer di maggiori dimensioni.

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