Micron RealSSD sono soluzioni allo stato solido destinate al mercato in rapida crescita dei
notebook basati su memorie flash.
Il
portafoglio prodotti, oltre ad incorporare la
tecnologia flash NAND di Micron a
25-nanometri (nm), mette a disposizione degli integratori di sistema un ampio portafoglio di
capacità che vanno da 64 a 512Gb (
gigabyte).
I drive sono disponibili nei
formati da 1,8" e 2,5". Come per i loro predecessori, tale linea supporta anche l'interfaccia
SATA 6Gb/s, la quale consente un
più ampio flusso di dati tra il processore e il
drive SSD, fornendo una migliore risposta complessiva del sistema, compresi tempi di avvio più rapidi ed un più veloce caricamento delle applicazioni.
Le unità raggiungono velocità di lettura di 415 Megabyte al secondo,
più veloce del 17% rispetto ai drive Micron di generazione precedente. Con prestazioni di scrittura diverse in base alle capacità di memorizzazione, le nuove unità da
512Gb raggiungono i
260Mb al secondo di velocità in scrittura, più veloce del
20% rispetto al drive più rapido della serie precedente (
C300).
Il dispositivo SSD apporta vantaggi di cui possono beneficiare anche i desktop, le workstation e le applicazioni industriali, quali un
basso consumo di energia elettrica, leggerezza, e resistenza ad urti e vibrazioni. Micron sta attualmente lavorando con i produttori di notebook per
qualificare la sua nuova unità RealSSD utilizzando C400 come nome del prodotto.
L'obiettivo di Micron è portare le unità sia ai clienti commerciali che ai consumatori, Crucial, una divisione di Micron, vende già prodotti sotto il nome
Crucial m4 SSD.
Quale sviluppatore di SSD e produttore di memorie NAND, Micron è in una posizione privilegiata per
utilizzare algoritmi proprietari all'interno del suo portafoglio prodotti RealSSD. Tali algoritmi sono orientati a produrre
enormi guadagni in termini di prestazioni mantenendo il controllo della qualità. Micron continua a spingere verso l'utilizzo di
nuove geometrie di processo per memorie NAND (la società utilizza attualmente processi a 25nm e vede la possibilità di sviluppo su diverse generazioni successive) che portano grandi benefici ad applicazioni destinate alla memorizzazione dati a stato solido, includendo una
maggiore capacità di memorizzazione dati e design orientati all'efficienza dei costi.