Micron, DDR3 a basso consumo per il mercato mobile
Micron introduce sul mercato una nuova serie di prodotti Low-Standby-Power DDR3Lm, destinati al segmento Thin and Light e tablet.
Micron Technology amplia la propria offerta di memorie per le categorie di prodotto tablet e Thin and Light, con nuovi moduli RAM a basso consumo. I nuovi prodotti di tipo DDR3Lm si caratterizzato per un Low-Standby-Power e capacità di 2 e 4 Gb.
In questo caso, Micron ha adottato una soluzione a basso auto-refresh, pur mantenendo prestazioni e prezzi di buon livello. Per raggiungere una corrente di standby (IDD6) di 3,7 mA e consentire velocità fino a 1.866 MT/s, Micron ha scelto di adottare un processo costruttivo a 30 nm, per entrambe le tipologie di chip.
La variante DDR3Lm 2Gb è in grado di fornire fino al 50% di risparmio energetico rispetto ai tradizionali moduli DDR3L di pari capacità.
I moduli Micron 4Gb DDR3Lm offrono la medesima efficienza delle versioni a capacità più bassa e risultano ideali per client ultra-sottili e tablet, grazie al ridotto numero di chip utilizzati.
In questo caso, Micron ha adottato una soluzione a basso auto-refresh, pur mantenendo prestazioni e prezzi di buon livello. Per raggiungere una corrente di standby (IDD6) di 3,7 mA e consentire velocità fino a 1.866 MT/s, Micron ha scelto di adottare un processo costruttivo a 30 nm, per entrambe le tipologie di chip.
La variante DDR3Lm 2Gb è in grado di fornire fino al 50% di risparmio energetico rispetto ai tradizionali moduli DDR3L di pari capacità. I moduli Micron 4Gb DDR3Lm offrono la medesima efficienza delle versioni a capacità più bassa e risultano ideali per client ultra-sottili e tablet, grazie al ridotto numero di chip utilizzati.
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