TSMC verso i 16 nm FinFET
TSMC anticipata la roadmap prevista e avvia la produzione dei primi sample con tecnologia FinFET a 16 nm al 2013.
Come abbiamo anticipato in precedenza, TSMC programma per quest’anno l’uscita dei dispositivi con tecnologia FinFET a 16 nm. Stando alle ultime informazioni, il produttore avrebbe recentemente avviato la cosiddetta “risk production”, anticipando i tempi previsti inizialmente.
I piani comprendono dunque la realizzazione di chip a 16 nm entro la fine del 2013, passaggio che permetterà l’ottimizzazione di consumi, dimensioni e performance dei futuri dispositivi che arriveranno sul mercato.
Secondo il CEO TSMC, Morris Chang, lo sviluppo evolutivo dei processi di lavorazione potrebbe consentire ancora 8 anni di innovazioni, sarà possibile ottenere unità a 10 nm o 7 nm, in perfetto allineamento con la legge di Moore. Più a breve termine, è auspicato l’utilizzo della litografia “extreme ultraviolet” per dispositivi a 10 nm, entro la fine del 2015.
I piani comprendono dunque la realizzazione di chip a 16 nm entro la fine del 2013, passaggio che permetterà l’ottimizzazione di consumi, dimensioni e performance dei futuri dispositivi che arriveranno sul mercato.
Secondo il CEO TSMC, Morris Chang, lo sviluppo evolutivo dei processi di lavorazione potrebbe consentire ancora 8 anni di innovazioni, sarà possibile ottenere unità a 10 nm o 7 nm, in perfetto allineamento con la legge di Moore. Più a breve termine, è auspicato l’utilizzo della litografia “extreme ultraviolet” per dispositivi a 10 nm, entro la fine del 2015.
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