Samsung ha realizzato chip di memoria LPDDR3 secondo il processo costruttivo a 20 nm. Oltre ai consumi inferiori, questi modelli vantano velocità sino a 2.133 Mbps.
Samsung ha avviato la
costruzione di memorie LPDDR3 destinate all’integrazione in tablet e smartphone. Si tratta di chip a basso consumo con
tecnologia 4 Gb, equivalente a 512 MByte per ciascun elemento e realizzati secondo un processo produttivo a 20 nm.
Le ridotte dimensioni
(spessore di appena 0,2 mm), l’elevata capacità e i consumi contenuti
(20% in meno rispetto ai precedenti modelli) porteranno notevoli benefici agli integratori e agli sviluppatori di soluzioni portatile, con un beneficio diretto anche per i consumatori finali.
Queste versioni sono capaci di
gestire un traffico dati sino a 2.133 Mbps e risultano nettamente più veloci delle attuali soluzioni a 800 Mbps (LPDDR2). Samsung conferma che la produzione in serie dei nuovi chip avverrà entro l’anno,
ma non è stata ancora resa nota una possibile data per l’inizio delle consegne agli OEM.
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