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Samsung, ecco i moduli DDR4 ad alta densità
Daniele Preda Samsung Electronics progetta le future memorie per server DDR4, moduli ad alta densita' con performance superiori alle attuali DDR3 e capaci di assicurare consumi inferiori.
Samsung Electronics sta sviluppando la nuova piattaforma tecnologica che permetterà la realizzazione di moduli ad alta densità RDIMM DDR4 da 8 GByte e 16 GByte.
Al momento è stata avviata la produzione dei campioni pre-serie, pensati per server e sistemi di fascia enterprise.
Per il sampling dei moduli sono stati realizzate alcune versioni nel mese di giugno, sfruttando il processo produttivo a 30 nm.
I campioni sono attualmente in fase di testing presso gli integratori e produttori di soluzioni server. Secondo Samsung, i benefici derivanti dall'adozione di questa nuova tecnologia sono da ricercarsi nelle migliori performance e nei consumi più contenuti. Rispetto alle attuali DDR3, infatti, le nuova DDR4 dovrebbero consentire velocità di trasferimento doppia, oltre a un risparmio energetico del 40%.
Questi moduli lavorano infatti a 1,2 V, contro gli 1,35 V dei banchi double data rate standard di terza generazione.
Terminata la fase di testing e sampling, Samsung dovrebbe avviare la produzione in volumi nel 2013, anno entro il quale ci si aspetta la disponibilità di DRAM DDR4 a 20 nm, caratterizzati da una densità di 32 GByte.
Al momento è stata avviata la produzione dei campioni pre-serie, pensati per server e sistemi di fascia enterprise.
Per il sampling dei moduli sono stati realizzate alcune versioni nel mese di giugno, sfruttando il processo produttivo a 30 nm.
I campioni sono attualmente in fase di testing presso gli integratori e produttori di soluzioni server. Secondo Samsung, i benefici derivanti dall'adozione di questa nuova tecnologia sono da ricercarsi nelle migliori performance e nei consumi più contenuti. Rispetto alle attuali DDR3, infatti, le nuova DDR4 dovrebbero consentire velocità di trasferimento doppia, oltre a un risparmio energetico del 40%.
Questi moduli lavorano infatti a 1,2 V, contro gli 1,35 V dei banchi double data rate standard di terza generazione. Terminata la fase di testing e sampling, Samsung dovrebbe avviare la produzione in volumi nel 2013, anno entro il quale ci si aspetta la disponibilità di DRAM DDR4 a 20 nm, caratterizzati da una densità di 32 GByte.
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