: L'innovazione per le PMI al centro dell'evento del prossimo 24 febbraio 2026 | Lainate (Milano) | La Pista
STMicroelectronics interessata alla produzione FDSOI
Daniele Preda STMicroelectronics prende accordi con Globalfoundries per avviare la produzione FDSOI a 28nm entro quest’anno.
STMicroelectronics e Globalfoundries stanno attualmente concordando l’aggiornamento delle linee di produzione e il trasferimento al processo produttivo FDSOI (Fully Depleted Silicon on Insulator).
La transizione è auspicata dal produttore di chip, che valuta interessanti incrementi di prestazioni e notevoli riduzioni dei consumi.
Secondo STMicroelectronics la tecnologia di integrazione FDSOI a 28 nm potrebbe garantire una riduzione dei consumi del 50%, rispetto alla attuale CMOS a 28 nm. Non solo, a parità di consumo, sarebbe possibile raggiungere un incremento di performance del 30%.
Questo grazie all’impiego di tensioni di lavoro più basse, pari a 0,6 V per la piattaforma FDSOI, rispetto agli 0,9 dell’attuale processo di lavorazione bulk CMOS.
Attualmente, ST sta valutando l’impegno con GlobalFoundries per la produzione in quantità nel 2013, le due società hanno siglato una lettera d’intenti e si stanno confrontando sui dettagli contrattuali.
Secondo i dati di produzione, il costo del wafer SOI è superiore, rispetto a quello bulk, di circa 2 -3 volte. Tuttavia i costi di realizzazione risultano inferiori de 12%, grazie a una maggiore semplicità nei processi di lavorazione.
Le prospettive di impiego della nuova tecnologia permetteranno di realizzare dispositivi a basso consumo, notevolmente ottimizzati, destinati al mercato professionale, ma probabilmente anche al segmento consumer.
La transizione è auspicata dal produttore di chip, che valuta interessanti incrementi di prestazioni e notevoli riduzioni dei consumi.
Secondo STMicroelectronics la tecnologia di integrazione FDSOI a 28 nm potrebbe garantire una riduzione dei consumi del 50%, rispetto alla attuale CMOS a 28 nm. Non solo, a parità di consumo, sarebbe possibile raggiungere un incremento di performance del 30%. Questo grazie all’impiego di tensioni di lavoro più basse, pari a 0,6 V per la piattaforma FDSOI, rispetto agli 0,9 dell’attuale processo di lavorazione bulk CMOS. Attualmente, ST sta valutando l’impegno con GlobalFoundries per la produzione in quantità nel 2013, le due società hanno siglato una lettera d’intenti e si stanno confrontando sui dettagli contrattuali.
Secondo i dati di produzione, il costo del wafer SOI è superiore, rispetto a quello bulk, di circa 2 -3 volte. Tuttavia i costi di realizzazione risultano inferiori de 12%, grazie a una maggiore semplicità nei processi di lavorazione. Le prospettive di impiego della nuova tecnologia permetteranno di realizzare dispositivi a basso consumo, notevolmente ottimizzati, destinati al mercato professionale, ma probabilmente anche al segmento consumer.
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